半导体学报2007，Vol.28Issue(6)：878-882,5.
非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象
Negative Persistent Photoconductivity in Unintentionally Doped n-Type GaN
苏志国 1许金通 2陈俊 1李向阳 1刘骥 1赵德刚2
作者信息
- 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
- 2. 山东大学信息科学与工程学院,济南,250100
- 折叠
摘要
关键词
GaN/持续光电导/负光电导/负持续光电导分类
电子信息工程引用本文复制引用
苏志国,许金通,陈俊,李向阳,刘骥,赵德刚..非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象[J].半导体学报,2007,28(6):878-882,5.
