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氧含量对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响

周龙捷 黄勇 许兴利 谢志鹏 杨金龙 马利国

高技术通讯2000,Vol.10Issue(3):87-89,3.
高技术通讯2000,Vol.10Issue(3):87-89,3.

氧含量对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响

Influence of Oxygen Content on IEP and Despersity of Silicon Carbide Powder

周龙捷 1黄勇 1许兴利 1谢志鹏 1杨金龙 1马利国1

作者信息

  • 1. 清华大学材料科学与工程系,北京,100084
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摘要

关键词

碳化硅/氧含量/等电点/分散性

分类

化学化工

引用本文复制引用

周龙捷,黄勇,许兴利,谢志鹏,杨金龙,马利国..氧含量对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响[J].高技术通讯,2000,10(3):87-89,3.

基金项目

863计划(863-715-006-0100)及国家自然科学基金(59872018)资助项目. (863-715-006-0100)

高技术通讯

OACSCDCSTPCD

1002-0470

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