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GaSb晶体的高能N+注入及其光学性质

郑玉祥苏毅周仕明马宏舟陈良尧郑安生钱佑华林成鲁何冶平

半导体学报Issue(11)：879,1.

郑玉祥 ¹苏毅 ¹周仕明 ¹马宏舟 ¹陈良尧 ¹郑安生 ¹钱佑华 ¹林成鲁 ¹何冶平¹

作者信息

锑化镓晶体/半导体材料/氮离子注入/光学性质

信息技术与安全科学

郑玉祥,苏毅,周仕明,马宏舟,陈良尧,郑安生,钱佑华,林成鲁,何冶平..GaSb晶体的高能N+注入及其光学性质[J].半导体学报,1995,(11):879,1.

OA北大核心CSCD

ISSN：1674-4926

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