GaN基紫外探测器的研究与制备OA北大核心CSCD
GaN-based Ultraviolet Photodetectors Fabricated by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们还发现Ni/Au电极与p-GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性.该探测器在入射光波长为375nm处的响应度大约为7.4×10-3A/W.
杨辉;赵德刚;张书明;朱建军;冯志宏;段俐宏;刘素英
中国科学院中国科学院中国科学院中国科学院中国科学院中国科学院中国科学院
信息技术与安全科学
GaN紫外探测器MOCVD
《发光学报》 2001 (z1)
87-90,4
国家自然科学基金委国家杰出青年基金资助项目
评论