掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究

宋久旭杨银堂柴常春刘红霞丁瑞雪

西安电子科技大学学报（自然科学版）2008，Vol.35Issue(1)：87-91,5.

Study of the electronic structure of nitrogen doped 3C-SiC with first-principles calculation

宋久旭 ¹杨银堂 ¹柴常春 ¹刘红霞 ¹丁瑞雪¹

作者信息

掺氮/3C-SiC/电子结构/第一性原理计算

信息技术与安全科学

宋久旭,杨银堂,柴常春,刘红霞,丁瑞雪..掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2008,35(1):87-91,5.

教育部重点科技资助项目(02074) （02074）

国家部委预研基金资助(513080302) （513080302）

西安应用材料创新基金资助(XA-AM-200502) （XA-AM-200502）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-2400

访问量0

下载量0

段落导航