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离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

王延峰 刘忠立

半导体学报2001，Vol.22Issue(7)：881-884,4.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(7)：881-884,4.

离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性

Study on Nitridation of Thin-Gate SiO2 Using Nitrogen Ion Implantation

王延峰 1刘忠立1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,
  • 折叠

摘要

关键词

氮化薄SiO2栅/氮离子注入/硼穿透/FN应力

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王延峰,刘忠立..离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性[J].半导体学报,2001,22(7):881-884,4.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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