半导体学报2006，Vol.27Issue(5)：881-885,5.
可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性
Breakdown Characteristics of SOI LDMOS High Voltage Devices with Variable Low k Dielectric Layer
摘要
关键词
可变低k介质层/纵向电场/调制/RESURF判据/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
罗小蓉,李肇基,张波..可变低k介质层SOI LDMOS高压器件的耐压特性[J].半导体学报,2006,27(5):881-885,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030) （批准号:60436030）
