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掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

陈瑶 周玉琴 张群芳 朱美芳 刘丰珍 刘金龙 陈诺夫

半导体学报2007，Vol.28Issue(6)：883-886,4.
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半导体学报2007，Vol.28Issue(6)：883-886,4.

掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

Effect of Growth-Preferred Orientation on the Photoelectric Properties of ITO Thin Film

陈瑶 1周玉琴 1张群芳 1朱美芳 1刘丰珍 1刘金龙 1陈诺夫2

作者信息

  • 1. 中国科学院研究生院,物理科学学院,北京,100049
  • 2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

ITO薄膜/反应热蒸发/优先取向/性能指数

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈瑶,周玉琴,张群芳,朱美芳,刘丰珍,刘金龙,陈诺夫..掺Sn的In2O3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J].半导体学报,2007,28(6):883-886,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CD202601)和国家自然科学基金(批准号:10404038)资助项目 （批准号:2006CD202601）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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