|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|LDD-CMOS中ESD及其相关机理

LDD-CMOS中ESD及其相关机理

马巍 郝跃

半导体学报2003，Vol.24Issue(8)：892-896,5.
✕
半导体学报2003，Vol.24Issue(8)：892-896,5.

LDD-CMOS中ESD及其相关机理

ESD and Its Related Mechanisms on LDD-CMOS

马巍 1郝跃1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

LDD-CMOS/ESD潜在损伤/Snapback

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马巍,郝跃..LDD-CMOS中ESD及其相关机理[J].半导体学报,2003,24(8):892-896,5.

基金项目

国防预先研究支持项目(项目编号:41308060305) （项目编号:41308060305）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文