半导体学报2007，Vol.28Issue(6)：898-901,4.
富铅配料的PbI2晶体生长与性能表征
Growth of PbI2 Crystal with Excessive Pb and Its Characterization
朱兴华 1赵北君 2朱世富 2金应荣 3向安平 1魏昭荣1
作者信息
- 1. 成都信息工程学院光电技术系,成都,610225
- 2. 四川大学材料科学系,成都,610064
- 3. 西华大学材料科学与工程学院,成都,610039
- 折叠
摘要
关键词
PbI2晶体/生长工艺/XRD分析/IR透过率/禁带宽度/能谱特性分类
数理科学引用本文复制引用
朱兴华,赵北君,朱世富,金应荣,向安平,魏昭荣..富铅配料的PbI2晶体生长与性能表征[J].半导体学报,2007,28(6):898-901,4.
