现代电子技术Issue(16)：89-91,3.
基于L298N芯片对离子渗氮中压强的控制
Control of Presure in Plasma Nitriding Based on L298N Chip
孔中华 1孙奉娄 1孙南海1
作者信息
- 1. 中南民族大学,电子信息工程学院,湖北,武汉,430074
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摘要
关键词
驱动电路/L298N/离子渗氮,延迟电路分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孔中华,孙奉娄,孙南海..基于L298N芯片对离子渗氮中压强的控制[J].现代电子技术,2003,(16):89-91,3.
