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MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究

戚盛勇 金晓冬

半导体学报Issue(12)：902,1.
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半导体学报Issue(12)：902,1.

MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究

戚盛勇 1金晓冬1

作者信息

  • 1. 复旦大学微分析中心
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摘要

关键词

MOS器件/电学特性/窄沟器件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

戚盛勇,金晓冬..MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究[J].半导体学报,1996,(12):902,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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