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薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

刘忠立

半导体学报2001，Vol.22Issue(7)：904-907,4.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(7)：904-907,4.

薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究

Study on Ionizing Radiation Trapped Charge in Thin SiO2 MOS Capacitors

刘忠立1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
  • 折叠

摘要

关键词

MOS电容/电离辐射/陷阱电荷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘忠立..薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究[J].半导体学报,2001,22(7):904-907,4.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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