半导体学报2001，Vol.22Issue(7)：908-914,7.
深亚微米FD-SOI器件亚阈模型
Modeling of Subthreshold Characteristics of Deep-Submicrometer FD Devices
程彬杰 1邵志标 1唐天同 1沈文正 2赵文魁2
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摘要
关键词
表面势/漏感应势垒降低效应/亚阈区模型/全耗尽MOS器件分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
程彬杰,邵志标,唐天同,沈文正,赵文魁..深亚微米FD-SOI器件亚阈模型[J].半导体学报,2001,22(7):908-914,7.
