电子学报2000，Vol.28Issue(5)：90-91,70,95,4.
浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究
The Study for Charge Leakage on The Floating-gate of FLOTOX EEPROM
摘要
关键词
EEPROM/浮栅/隧道氧化层/电荷/泄漏分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
于宗光,陆锋,徐征,叶守银,黄卫,王万业,许居衍..浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究[J].电子学报,2000,28(5):90-91,70,95,4.基金项目
江苏省青年科技基金(No.BQ96040)资助课题 （No.BQ96040）
