利用混合极性制备多孔缓冲层及其在GaN厚膜外延中的应用OA北大核心CSCDCSTPCD
Growth of Thick GaN Films on Mixed-Polarity Buffer by Halide Vapor Phase Epitaxy
使用分子束外延(MBE)技术在(0001)面蓝宝石衬底上生长混合极性的氮化镓(GaN)薄膜,利用不同极性面的GaN薄膜在强碱溶液中腐蚀特性的差异,混和极性样品经腐蚀处理后,得到了一层具有多孔结构的GaN层.以多孔结构的GaN作为缓冲层,用卤化物气相外延(HVPE)方法生长GaN厚膜.X射线双晶衍射和光致发光等测试结果表明,多孔结构的GaN缓冲层可以有效地释放GaN厚膜和衬底之间因热膨胀系数失配产生的应力,使GaN厚膜晶体的质量得到很大提高.
尹志军;钟飞;邱凯;李新化;王玉琦
中国科学院材料物理重点实验室,合肥,230031中国科学院材料物理重点实验室,合肥,230031中国科学院材料物理重点实验室,合肥,230031中国科学院材料物理重点实验室,合肥,230031中国科学院材料物理重点实验室,合肥,230031
电子信息工程
GaN极性多孔应力释放
《半导体学报》 2007 (6)
同GaN/AlGaN场效应晶体管电流崩塌效应相关的深中心和表面态问题的光离化谱和调制光电谱研究
909-912,4
国家自然科学基金资助项目(批准号:10574130)
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