半导体学报2005，Vol.26Issue(5)：910-916,7.
高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制
Two Kinds of Nucleation Mechanisms for Oxygen Precipitation in CZ Silicon with High Carbon Concentration
刘培东 1姜益群 1黄笑容 1沈益军 1李立本 1阙端麟1
作者信息
- 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027
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摘要
关键词
氧沉淀/碳氧复合物/直拉硅/硅中氧/硅中碳分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘培东,姜益群,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟..高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制[J].半导体学报,2005,26(5):910-916,7.
