掺杂TiO2的ZnO压敏电阻低压化机理研究OA北大核心CSTPCD
Mechanism of Low-Voltage ZnO Varistor with TiO2 Addition
介绍了氧化锌(ZnO)低压压敏电阻研究的必要性.分析了TiO2添加剂促进ZnO压敏电阻晶粒长大的过程和机制;探讨了ZnO压敏电阻低压化机理.宏观电性能测试表明:ZnO压敏电阻中TiO2添加剂的加入,可很好地实现ZnO压敏电阻低压化的目的.
何忠伟;许业文;徐政;孙丹峰
同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092总装备部工程兵科研一所,江苏,无锡,214035同济大学,材料科学与工程学院,上海,200092
动力与电气工程
氧化锌压敏电阻TiO2晶粒长大低压
《低压电器》 2004 (6)
9-11,26,4
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