半导体学报2007，Vol.28Issue(6)：913-917,5.
壁面特性对径向三重流MOCVD反应器壁面温度分布的影响
Influence of Wall Properties on Wall Temperature of a Radial Flow MOCVD Reactor with Three Separate Vertical Inlets
摘要
关键词
MOCVD/石英/辐射特性/壁面温度/影响分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘勇,聂宇宏,姚寿广..壁面特性对径向三重流MOCVD反应器壁面温度分布的影响[J].半导体学报,2007,28(6):913-917,5.基金项目
江苏省教育厅高校自然科学指导性计划基金资助项目(批准号:03KJD140022) （批准号:03KJD140022）
