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一种新型结构的静电感应晶体管

唐莹 刘肃 李思渊 吴蓉 常鹏

半导体学报2007,Vol.28Issue(6):918-922,5.
半导体学报2007,Vol.28Issue(6):918-922,5.

一种新型结构的静电感应晶体管

A Novel Structure for a Static Induction Transistor

唐莹 1刘肃 1李思渊 1吴蓉 2常鹏1

作者信息

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所,兰州,730000
  • 2. 兰州交通大学电子与信息工程学院电子科学与技术系,兰州,730070
  • 折叠

摘要

关键词

静电感应晶体管/深槽结构/寄生效应/深槽腐蚀

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

唐莹,刘肃,李思渊,吴蓉,常鹏..一种新型结构的静电感应晶体管[J].半导体学报,2007,28(6):918-922,5.

基金项目

甘肃省自然科学基金资助项目(批准号:3ZS051-A25-034) (批准号:3ZS051-A25-034)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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