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VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究

张晓丹 赵颖 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍

电子学报2005，Vol.33Issue(5)：920-922,3.
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电子学报2005，Vol.33Issue(5)：920-922,3.

VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究

Structural Study of Microcrystalline Silicon Films Fabricated by VHF-PECVD at Different Substrate Temperatures

张晓丹 1赵颖 2高艳涛 3朱锋 1魏长春 2孙建 3耿新华 1熊绍珍2

作者信息

  • 1. 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
  • 2. 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
  • 3. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
  • 折叠

摘要

关键词

甚高频等离子体增强化学气相沉积/微晶硅/衬底温度

分类

能源科技

引用本文复制引用

张晓丹,赵颖,高艳涛,朱锋,魏长春,孙建,耿新华,熊绍珍..VHF-PECVD制备不同衬底温度微晶硅薄膜结构研究[J].电子学报,2005,33(5):920-922,3.

基金项目

国家重点基础研究发展规划项目(No.G2000028202,No.G2000028203) （No.G2000028202,No.G2000028203）

国际合作项目(No.2002DF00051) （No.2002DF00051）

国家高新技术研究发展计划(No.2002303261) （No.2002303261）

电子学报

OA北大核心CSCD

0372-2112

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