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异质结绝缘栅场效应晶体管 (HIGFETs) 高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究
异质结绝缘栅场效应晶体管 (HIGFETs) 高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究
顾聪
王德宁
王渭源
半导体学报
Issue(12)：922,1.
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半导体学报
Issue(12)
：922,1.
异质结绝缘栅场效应晶体管 (HIGFETs) 高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究
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王德宁
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顾聪,王德宁,王渭源..异质结绝缘栅场效应晶体管 (HIGFETs) 高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究[J].半导体学报,1990,(12):922,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN：
1674-4926
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