半导体学报2005，Vol.26Issue(1)：92-95,4.
高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT
High Power-Added-Efficiency InGaP/GaAs Power HBT
摘要
关键词
功率附加效率/InGaP/GaAs/功率HBT分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德馨..高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J].半导体学报,2005,26(1):92-95,4.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311902),国家自然科学基金(批准号:60146001),科学院知识创新工程重要方向资助项目 （批准号:2002CB311902）
