半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：92-96,5.
热退火对 InGaN薄膜性质的影响
Influence of Thermal Annealing on Properties of InGaN Films
摘要
关键词
InGaN/热退火/散射机制分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
文博,江若琏,刘成祥,谢自力,周建军,韩平,张荣,郑有炓..热退火对 InGaN薄膜性质的影响[J].半导体学报,2006,27(z1):92-96,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60476030),国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA311060)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目 （批准号:60476030）
