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Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒

半导体学报2005,Vol.26Issue(5):931-935,5.
半导体学报2005,Vol.26Issue(5):931-935,5.

Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

Synthesis of GaN Nanowires Through Ammoniating ZnO/Ga2O3 Films on Si Substrates

高海永 1庄惠照 1薛成山 1王书运 1何建廷 1董志华 1吴玉新 1田德恒1

作者信息

  • 1. 山东师范大学半导体研究所,济南,250014
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摘要

关键词

GaN纳米线/ZnO/Ga2O3薄膜/射频磁控溅射/氨化

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高海永,庄惠照,薛成山,王书运,何建廷,董志华,吴玉新,田德恒..Si基氨化ZnO/Ga2O3薄膜制备GaN纳米线[J].半导体学报,2005,26(5):931-935,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:90301002,90201025) (批准号:90301002,90201025)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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