电子学报2008，Vol.36Issue(5)：933-936,4.
陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响
The Influence of Trapping Effect on Frequency Characteristics in 4H-SiC MESFETs
摘要
关键词
碳化硅/MESFET/深能级陷阱/频率特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
吕红亮,张义门,张玉明,车勇,王悦湖,邵科..陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响[J].电子学报,2008,36(5):933-936,4.基金项目
国家自然科学基金(No.60606022) （No.60606022）
国防973重点基础研究发展规划(No.51327010101) （No.51327010101）
