无机材料学报2008，Vol.23Issue(5)：933-937,5.
化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟
Atomic Scale Simulation of[111]-Oriented SiC Film Growth by Chemical Vapor Deposition Method
摘要
关键词
化学气相沉积/SiC膜/动力学Monte/Carlo模拟/表面粗糙度/相对密度分类
化学化工引用本文复制引用
刘翠霞,杨延清,黄斌,张荣军,罗贤,任晓霞..化学气相沉积SiC膜{111}取向生长的原子尺度模拟[J].无机材料学报,2008,23(5):933-937,5.基金项目
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