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宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿

彭龙新 杨乃彬 林金庭

电子学报2006,Vol.34Issue(5):934-937,4.
电子学报2006,Vol.34Issue(5):934-937,4.

宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿

The Temperature Compensation for MMIC Broadband Amplifier Gain

彭龙新 1杨乃彬 1林金庭1

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所,江苏南京,210016
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摘要

关键词

赝配高电子迁移率晶体管/宽带单片低噪声放大器/漏电流温度特性/增益温度特性/增益温度补偿

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

彭龙新,杨乃彬,林金庭..宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿[J].电子学报,2006,34(5):934-937,4.

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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