半导体学报2005，Vol.26Issue(5)：936-940,5.
水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜
4H-SiC Homoepitaxial Growth by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition
高欣 1孙国胜 1李晋闽 1赵万顺 1王雷 1张永兴 2曾一平1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
- 2. 兰州大学物理学院,兰州,730000
- 折叠
摘要
关键词
碳化硅/化学气相沉积/原子力显微镜/Raman/光致发光分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高欣,孙国胜,李晋闽,赵万顺,王雷,张永兴,曾一平..水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜[J].半导体学报,2005,26(5):936-940,5.
