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固定宽度结构等离子体刻蚀中Lag效应的数值模拟

张鉴 黄庆安 李伟华

传感技术学报2006,Vol.19Issue(1):93-96,4.
传感技术学报2006,Vol.19Issue(1):93-96,4.

固定宽度结构等离子体刻蚀中Lag效应的数值模拟

Numerical Simulations of Lag Effect in Fixed-Width-Structure Plasma Etching

张鉴 1黄庆安 1李伟华1

作者信息

  • 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096
  • 折叠

摘要

关键词

等离子体刻蚀/Lag效应/时间步长/数值模拟

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张鉴,黄庆安,李伟华..固定宽度结构等离子体刻蚀中Lag效应的数值模拟[J].传感技术学报,2006,19(1):93-96,4.

基金项目

国家杰出青年科学基金资助课题(50325519) (50325519)

传感技术学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-1699

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