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采用PVA方法制备ZnO基发光稀磁半导体

杨景景 方庆清 王保明 王翠平 陈辉 李雁 刘艳美 吕庆荣

发光学报2006，Vol.27Issue(6)：939-944,6.
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发光学报2006，Vol.27Issue(6)：939-944,6.

采用PVA方法制备ZnO基发光稀磁半导体

ZnO Based Luminous and Diluted Magnetic Semiconductors Prepared by PVA Methods

杨景景 1方庆清 2王保明 3王翠平 4陈辉 4李雁 4刘艳美 4吕庆荣4

作者信息

  • 1. 安徽大学,物理与材料科学学院
  • 2. 光电信息获取与控制教育部重点实验室,安徽,合肥,230039
  • 3. 常州工学院,理学院,江苏,常州,213016
  • 4. 安徽大学,物理与材料科学学院,光电信息获取与控制教育部重点实验室,安徽,合肥,230039
  • 折叠

摘要

关键词

PVA方法/ZnO薄膜/掺杂

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨景景,方庆清,王保明,王翠平,陈辉,李雁,刘艳美,吕庆荣..采用PVA方法制备ZnO基发光稀磁半导体[J].发光学报,2006,27(6):939-944,6.

基金项目

安徽省年度重点科技项目(05022045) （05022045）

科学和技术带头人基金(01080210)资助项目 （01080210）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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