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应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

王仍 陈晓姝 吴晓君 何山 王钢 方维政 赵培 张雷 葛进 袁诗鑫 张惠尔 胡淑红 戴宁

半导体学报2008，Vol.29Issue(5)：940-943,4.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(5)：940-943,4.

应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试

Growth and Characteristics of ZnTe Single Crystal for THz Technology

王仍 1陈晓姝 2吴晓君 2何山 2王钢 2方维政 1赵培 1张雷 1葛进 1袁诗鑫 1张惠尔 1胡淑红 1戴宁1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理所,红外国家重点实验室,上海,200083
  • 2. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275
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摘要

关键词

Te溶剂方法/ZnTe单晶/XRD/THz

分类

数理科学

引用本文复制引用

王仍,陈晓姝,吴晓君,何山,王钢,方维政,赵培,张雷,葛进,袁诗鑫,张惠尔,胡淑红,戴宁..应用于THz辐射的ZnTe单晶生长及测试[J].半导体学报,2008,29(5):940-943,4.

基金项目

国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA122135)和上海应用材料研究与发展基金(批准号:06SA05)资助项目 （批准号:2006AA122135）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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