半导体学报2007，Vol.28Issue(6)：943-946,4.
含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计
Design of InGaAsP Composite Collector for InP DHBT
程伟 1金智 1于进勇 1刘新宇1
作者信息
- 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
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摘要
关键词
InP/InGaAs/HBT/复合式集电区/势垒尖峰分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
程伟,金智,于进勇,刘新宇..含InGaAsP的InP DHBT复合式集电区结构设计[J].半导体学报,2007,28(6):943-946,4.
