电子器件2005，Vol.28Issue(4)：945-948,957,5.
硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展
Application of Silicon Direct Bonding Technique in New Power Electronic Device
摘要
关键词
硅直接键合/电力电子器件/集成门极换流晶闸管/集成门极双晶体管/MOS控制可关断晶闸管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王彩琳,高勇,张新..硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展[J].电子器件,2005,28(4):945-948,957,5.基金项目
陕西省教育厅专项科研计划项目,其编号为04JK245 （）
