高技术通讯2001，Vol.11Issue(4)：94-95,98,3.
位错对n型GaN 光助电化学腐蚀的中止作用
Etch-stop Effect of Dislocations in Photoelectrochemical
Etching Process of N-type GaN
陈克林 1王国鹏 1俞慧强 1顾书林 1沈波 1施毅 1王慧田 1郑有 1张荣1
作者信息
摘要
Abstract
Photoelectrochemical (PEC) etching of Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) grown n-type GaN has been investigated. Direct evidence of etch-stop effect of dislocations has been found and discussedi.关键词
氢化物气相外延（HVPE）/光助电化学（PEC）腐蚀/位错中止腐蚀分类
数理科学引用本文复制引用
陈克林,王国鹏,俞慧强,顾书林,沈波,施毅,王慧田,郑有,张荣..位错对n型GaN 光助电化学腐蚀的中止作用[J].高技术通讯,2001,11(4):94-95,98,3.
