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6H-SiC晶片的退火处理

姜守振 蒋民华 李娟 陈秀芳 王英民 宁丽娜 于光伟 胡小波 徐现刚 王继杨

人工晶体学报2006,Vol.35Issue(5):949-952,4.
人工晶体学报2006,Vol.35Issue(5):949-952,4.

6H-SiC晶片的退火处理

Annealing Treatment of 6H-SiC Wafers

姜守振 1蒋民华 1李娟 1陈秀芳 1王英民 1宁丽娜 1于光伟 1胡小波 1徐现刚 1王继杨1

作者信息

  • 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
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摘要

关键词

升华法/SiC/退火

分类

数理科学

引用本文复制引用

姜守振,蒋民华,李娟,陈秀芳,王英民,宁丽娜,于光伟,胡小波,徐现刚,王继杨..6H-SiC晶片的退火处理[J].人工晶体学报,2006,35(5):949-952,4.

基金项目

山东省半导体照明工程关键技术和教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目 ()

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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