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半导体学报
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硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收
硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收
叶亦英
陈畅生
张哲华
半导体学报
Issue(1):95,1.
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半导体学报
Issue(1)
:95,1.
硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收
叶亦英
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陈畅生
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张哲华
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叶亦英,陈畅生,张哲华..硅、锗单晶中Ⅳ族代位式杂质产生的局域模与红外吸收[J].半导体学报,1984,(1):95,1.
半导体学报
ISSN:
1674-4926
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