半导体学报2004，Vol.25Issue(8)：951-955,5.
氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响
Effect of Nitrogen on Oxygen Precipitate Profile in Czochralski Silicon Wafer
摘要
关键词
掺氮/直拉硅/氧沉淀/退火分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
崔灿,杨德仁,马向阳,余学功,李立本,阙端麟..氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响[J].半导体学报,2004,25(8):951-955,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:50032010),国家杰出青年基金(批准号:60225010)及国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA3Z1111)资助项目 （批准号:50032010）
