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正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱

何进 黄爱华 张兴 黄如

半导体学报2001，Vol.22Issue(8)：957-961,5.
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半导体学报2001，Vol.22Issue(8)：957-961,5.

正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱

Forward Gated-Diode Monitoring of F-N Stressing-Induced Interface Traps of NMOSFET/SOI

何进 1黄爱华 1张兴 1黄如1

作者信息

  • 1. 北京大学微电子学研究所,
  • 折叠

摘要

关键词

F-N应力效应/界面陷阱/R-G电流/栅控二极管/MOSFET/SOI

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

何进,黄爱华,张兴,黄如..正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱[J].半导体学报,2001,22(8):957-961,5.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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