半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：95-98,4.
硅基3C-SiC的热氧化机理
Mechanism of Thermal Oxidation of 3C-SiC Grown on Si
赵永梅 1孙国胜 1刘兴昉 1李家业 1赵万顺 1王雷 1罗木昌 1李晋闽1
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摘要
关键词
3C-SiC/热氧化/XPS/氧化机理分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵永梅,孙国胜,刘兴昉,李家业,赵万顺,王雷,罗木昌,李晋闽..硅基3C-SiC的热氧化机理[J].半导体学报,2007,28(z1):95-98,4.
