半导体学报2008，Vol.29Issue(5)：960-964,5.
SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进
Extraction of Temperature Parameters and Optimization of the Mextram 504 Model on SiGe HBT
任铮 1胡少坚 1蒋宾 1王勇 1赵宇航1
作者信息
- 1. 上海集成电路研发中心,上海,201203
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摘要
关键词
Mextram模型/0.13μm锗硅工艺/异质结双极晶体管/参数提取分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
任铮,胡少坚,蒋宾,王勇,赵宇航..SiGe HBT的Mextram 504模型温度参数提取与模型改进[J].半导体学报,2008,29(5):960-964,5.
