半导体学报2005，Vol.26Issue(1)：96-101,6.
新结构微波功率SiGe HBT的数值分析
Numerical Analysis of A Novel Microwave Power SiGe HBT
刘亮 1王玉琦 2肖波 1亢宝位 1吴郁 1王哲1
作者信息
- 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022
- 2. 香港科技大学物理系,香港
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摘要
关键词
微波功率SiGe HBT/MSG/MAG/最高振荡频率分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘亮,王玉琦,肖波,亢宝位,吴郁,王哲..新结构微波功率SiGe HBT的数值分析[J].半导体学报,2005,26(1):96-101,6.
