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基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

徐现刚 刘喆 崔得良

半导体学报2002,Vol.23Issue(9):962-965,4.
半导体学报2002,Vol.23Issue(9):962-965,4.

基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管

GaAsSb/InP HBT Growth on InP Substrates

徐现刚 1刘喆 1崔得良1

作者信息

  • 1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
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摘要

关键词

GaAsSb/InP/MOCVD/双异质结晶体三极管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐现刚,刘喆,崔得良..基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管[J].半导体学报,2002,23(9):962-965,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60025409) (批准号:60025409)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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