| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|P型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量

P型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量

薛松 韩彦军 吴震 罗毅

半导体学报2005,Vol.26Issue(5):965-969,5.
半导体学报2005,Vol.26Issue(5):965-969,5.

P型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量

Measurement of Specific Contact Resistivity of Ohmic Contact on p-GaN

薛松 1韩彦军 1吴震 1罗毅1

作者信息

  • 1. 清华大学电子工程系,集成光电子国家重点实验室,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

p型氮化镓/比接触电阻率/传输线模型/圆形传输线模型

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

薛松,韩彦军,吴震,罗毅..P型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量[J].半导体学报,2005,26(5):965-969,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601),国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190,2002AA31119Z)和国家自然科学基金(批准号:60244001)资助项目 (批准号:TG2000036601)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文