半导体学报2003，Vol.24Issue(9)：966-971,6.
应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性
Breakdown Characteristics of Strained SiGe-Channel pMOSFET
杨荣 1罗晋生2
作者信息
- 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
- 2. 西安交通大学微电子研究所,西安,710049
- 折叠
摘要
关键词
应变硅锗/pMOSFET/击穿/模拟/分析分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨荣,罗晋生..应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性[J].半导体学报,2003,24(9):966-971,6.
