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低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体

刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯

半导体学报2004，Vol.25Issue(8)：967-971,5.
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半导体学报2004，Vol.25Issue(8)：967-971,5.

低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体

Si:Fe Solid Solution Heavily Doped with Fe Prepared by Technique of Low Energy Ion Beam

刘力锋 1陈诺夫 1张富强 2陈晨龙 1李艳丽 1杨少延 1刘志凯1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083
  • 2. 中国科学院力学研究所,国家微重力实验室,北京,100080
  • 折叠

摘要

关键词

硅/铁/低能离子束/重掺杂

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯..低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si:Fe固溶体[J].半导体学报,2004,25(8):967-971,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:601 76001和60390072),国家重大基础研究发展规划(批准号:G20000365和G2002CB311905)资助项目 （批准号:601 76001和60390072）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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