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InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

牛智川 周增圻 林耀望 李新峰 张益 胡雄伟 吕振东 袁之良 徐仲英

物理学报Issue(5):969-974,6.
物理学报Issue(5):969-974,6.

InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究

牛智川 1周增圻 1林耀望 2李新峰 2张益 2胡雄伟 2吕振东 2袁之良 2徐仲英2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
  • 折叠

摘要

关键词

量子线/分子束外延/半导体/InGaAs/砷化镓

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

牛智川,周增圻,林耀望,李新峰,张益,胡雄伟,吕振东,袁之良,徐仲英..InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究[J].物理学报,1997,(5):969-974,6.

物理学报

OA北大核心CSCD

1000-3290

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