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InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

刘成祥王荣华张禹陈敦军江若琏顾书林施毅张荣郑有炓谢自力韩平刘斌李亮符凯周建军叶建东文博

半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：97-100,4.

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

Investigation of Indium Surface Segregation in InxGa1-xN Films

刘成祥 ¹王荣华 ¹张禹 ¹陈敦军 ¹江若琏 ¹顾书林 ¹施毅 ¹张荣 ¹郑有炓 ¹谢自力 ¹韩平 ¹刘斌 ¹李亮 ¹符凯 ¹周建军 ¹叶建东 ¹文博¹

作者信息

1. 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
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摘要

关键词

InxGa1-xN合金薄膜/表面分凝/Ⅴ/Ⅲ比

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘成祥,王荣华,张禹,陈敦军,江若琏,顾书林,施毅,张荣,郑有炓,谢自力,韩平,刘斌,李亮,符凯,周建军,叶建东,文博..InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象[J].半导体学报,2006,27(z1):97-100,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000068305),国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA311080),国家自然科学基金(批准号:60476030),优秀创新研究群体科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和江苏省自然科学基金(批准号:BK2003203)资助项目（批准号:G2000068305）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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