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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破

陈文浚

电源技术2007,Vol.31Issue(2):97-102,6.
电源技术2007,Vol.31Issue(2):97-102,6.

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破

陈文浚1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团第十八研究所
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摘要

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陈文浚..Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破[J].电源技术,2007,31(2):97-102,6.

电源技术

OA北大核心CSCDCSTPCD

1002-087X

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