磁控溅射制备的铜钒氧化物薄膜及其电化学性能OA北大核心CSCDCSTPCD
Structure and Electrochemical Performance of Copper Doped Vanadium Oxide Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering
采用射频磁控溅射技术在硅基底上分别制备了无掺杂和掺杂Cu的氧化钒薄膜.X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)观察表明,无掺杂的薄膜为多晶V2O5,掺杂Cu的薄膜为非晶态.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,掺杂Cu的薄膜为铜钒氧化物膜,其中Cu离子表现为+2价,V离子为+4与+5价的混合价态.随着Cu掺杂量的增大,+4价V的含量增加.电化学测试结果表明,V2O5[KG-*1/4]薄膜在掺杂Cu以后其放电容量有显著的提高,其中…查看全部>>
张梁堂;宋杰;蔡敏真;徐富春;吴孙桃;董全峰
厦门大学物理与机电工程学院机电工程系,厦门,361005厦门大学物理与机电工程学院,化学化工学院化学系,厦门,361005厦门大学物理与机电工程学院,物理与机电工程学院物理系,厦门,361005厦门大学物理与机电工程学院,化学化工学院分析测试中心,厦门,361005厦门大学物理与机电工程学院,萨本栋微机电研究中心,厦门,361005厦门大学物理与机电工程学院,化学化工学院化学系,厦门,361005
化学化工
铜钒氧化物薄膜磁控溅射阴极材料电化学性能
《高等学校化学学报》 2009 (5)
971-975,5
国家"九七三"计划(批准号:2002CB211807)、国防基础研究项目(原国防科工委)(批准号:A14220080188-08)和福建省化学电源科技创新平台(批准号:2006H0090)资助.
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